UV laser-induced poling inhibited domain building blocks for photonic and nonlinear optical microstructures

G. Zisis, C. Y.J. Ying, E. Soergel, S. Mailis

Результат исследований: Вклад в конференциюДокументрецензирование

Аннотация

UV laser induced poling inhibition (PI) is a method for domain engineering in ferroelectric lithium niobate crystals. This method is capable of producing localised ferroelectric domains whose shape and orientation is defined by a UV laser pre-irradiated pattern. Poling inhibition is observed at the locations of the +z face of the crystal that have been exposed to UV laser radiation (244 nm-305 nm) prior to uniform domain inversion by electric field poling at room temperature [1].

Язык оригиналаАнглийский
DOI
СостояниеОпубликовано - 2013
Опубликовано для внешнего пользованияДа
Событие2013 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe and International Quantum Electronics Conference, CLEO/Europe-IQEC 2013 - Munich, Германия
Продолжительность: 12 мая 201316 мая 2013

Конференция

Конференция2013 Conference on Lasers and Electro-Optics Europe and International Quantum Electronics Conference, CLEO/Europe-IQEC 2013
Страна/TерриторияГермания
ГородMunich
Период12/05/1316/05/13

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «UV laser-induced poling inhibited domain building blocks for photonic and nonlinear optical microstructures». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать