The kinetics of negative 2D-islands on Si (111) surface during sublimation

Sergey V. Sitnikov, Sergey S. Kosolobov, Alexander V. Latyshev

Результат исследований: Глава в книге, отчете, сборнике статейМатериалы для конференциирецензирование

Аннотация

Kinetics of two dimensional islands on Si(111) was investigated by in situ ultrahighvacuum reflection electron microscopy during sublimation. The temperature dependences of critical radius of the terrace for nucleation of new island were measured. On the base of the obtained data the adatom diffusion length on the Si(111) surface was estimated at temperature range 1000-1300°C.

Язык оригиналаАнглийский
Название основной публикации2009 International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2009
Страницы56-58
Число страниц3
DOI
СостояниеОпубликовано - 2009
Опубликовано для внешнего пользованияДа
Событие2009 International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2009 - Novosibirsk, Российская Федерация
Продолжительность: 1 июл. 20096 июл. 2009

Серия публикаций

НазваниеInternational Workshop and Tutorials on Electron Devices and Materials, EDM - Proceedings
ISSN (печатное издание)1815-3712

Конференция

Конференция2009 International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2009
Страна/TерриторияРоссийская Федерация
ГородNovosibirsk
Период1/07/096/07/09

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «The kinetics of negative 2D-islands on Si (111) surface during sublimation». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать