Study of radiation defects annealing in lithium doped n-Si

N. V. Brilliantov, V. V. Zverev, Yu V. Scherbakov

Результат исследований: Вклад в журналСтатьярецензирование

Аннотация

Radiation defect annealing processes investigated for MeV electron irradiated lithium-doped n-type silicon Multistage-annealing model is proposed. Identification of new deep levels Ec-0,36eV and Ev+0,30 eV, which appeared during annealing is made on base of this model.

Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)26-31
Число страниц6
ЖурналFizika i Khimiya Obrabotki Materialov
Номер выпуска1
СостояниеОпубликовано - янв. 1993
Опубликовано для внешнего пользованияДа

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Study of radiation defects annealing in lithium doped n-Si». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать