Room temperature lasing in injection microdisks with InGaAsN/GaAs quantum well active region

E. I. Moiseev, M. V. Maximov, A. M. Nadtochiy, N. V. Kryzhanovskaya, D. A. Sannikov, T. Yagafarov, M. Kulagina, T. Niemi, R. Isoaho, M. Guina, A. E. Zhukov

    Результат исследований: Вклад в журналСтатья конференциирецензирование

    2 Цитирования (Scopus)

    Аннотация

    Injection microdisk lasers based on three InGaAsN/GaAs quantum wells with different diameters of the resonator were fabricated and studied. Room temperature lasing at 1.2 μm is demonstrated for the first time. Dependence of the threshold current on the diameter is discussed.

    Язык оригиналаАнглийский
    Номер статьи081048
    ЖурналJournal of Physics: Conference Series
    Том1124
    Номер выпуска8
    DOI
    СостояниеОпубликовано - 2018
    Событие5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, Saint Petersburg OPEN 2018 - St. Petersburg, Российская Федерация
    Продолжительность: 2 апр. 20185 апр. 2018

    Fingerprint

    Подробные сведения о темах исследования «Room temperature lasing in injection microdisks with InGaAsN/GaAs quantum well active region». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

    Цитировать