Inspection of recombination active defects for SiGe and solar cells

O. V. Astafiev, V. P. Kalinushkin, N. V. Abrosimov

Результат исследований: Вклад в журналСтатья конференциирецензирование

3 Цитирования (Scopus)

Аннотация

Mapping Low Angle Light Scattering method (MLALS) is proposed to study defect structure in materials used for solar cell production. Several types of defects are observed in Czochralski Si1-xGex (0.022<x<0.047) single crystals. Recombination activity of these defects is investigated. The possibility of contactless visualisation of grain boundary recombination in polysilicon is also demonstrated.

Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)43-48
Число страниц6
ЖурналMaterials Research Society Symposium - Proceedings
Том442
СостояниеОпубликовано - 1997
Опубликовано для внешнего пользованияДа
СобытиеProceedings of the 1996 MRS Fall Meeting - Boston, MA, USA
Продолжительность: 2 дек. 19966 дек. 1996

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Inspection of recombination active defects for SiGe and solar cells». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать