Excitons in electrostatic traps

A. T. Hammack, N. A. Gippius, Sen Yang, G. O. Andreev, L. V. Butov, M. Hanson, A. C. Gossard

Результат исследований: Вклад в журналСтатьярецензирование

84 Цитирования (Scopus)

Аннотация

We consider in-plane electrostatic traps for indirect excitons in coupled quantum wells, where the traps are formed by a laterally modulated gate voltage. An intrinsic obstacle for exciton confinement in electrostatic traps is an in-plane electric field that can lead to exciton dissociation. We propose a design to suppress the in-plane electric field and, at the same time, to effectively confine excitons in the electrostatic traps. We present calculations for various classes of electrostatic traps and experimental proof of principle for trapping of indirect excitons in electrostatic traps.

Язык оригиналаАнглийский
Номер статьи066104
ЖурналJournal of Applied Physics
Том99
Номер выпуска6
DOI
СостояниеОпубликовано - 2006
Опубликовано для внешнего пользованияДа

Fingerprint

Подробные сведения о темах исследования «Excitons in electrostatic traps». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

Цитировать