Controllable modification of SiC nanowires encapsulated in BN nanotubes

Yubao Li, Pavel S. Dorozhkin, Yoshio Bando, Dmitri Golberg

Результат исследований: Вклад в журналСтатьярецензирование

111 Цитирования (Scopus)


A simple vapor-solid route for the synthesis of BN-SiC nanocables having open tip-ends and unmatched features was discussed. These features allow to selectively perform intratube operations and to independently modify the geometry and chemistry of the semiconducting SiC cores. Electrical-transport measurements performed on individual nanostructures indeed confirmed the perfect insulating nature of the BN nanotube sheaths. BN nanotube sheaths were confirmed to exhibit excellent electrical insulation of the encapsulated semiconducting nanowires.

Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)545-549
Число страниц5
ЖурналAdvanced Materials
Номер выпуска5
СостояниеОпубликовано - 8 мар. 2005
Опубликовано для внешнего пользованияДа


Подробные сведения о темах исследования «Controllable modification of SiC nanowires encapsulated in BN nanotubes». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).