Circularly polarized lasing in chiral modulated semiconductor microcavity with GaAs quantum wells

A. A. Demenev, V. D. Kulakovskii, C. Schneider, S. Brodbeck, M. Kamp, S. Höfling, S. V. Lobanov, T. Weiss, N. A. Gippius, S. G. Tikhodeev

    Результат исследований: Вклад в журналСтатьярецензирование

    13 Цитирования (Scopus)

    Аннотация

    We report close to circularly polarized lasing at ω = 1.473 and 1.522 eV from an AlAs/AlGaAs Bragg microcavity, with 12 GaAs quantum wells in the active region and chirally etched upper distributed Bragg refractor under optical pump at room temperature. The advantage of using the chiral photonic crystal with a large contrast of dielectric permittivities is its giant optical activity, allowing to fabricate a very thin half-wave plate, with a thickness of the order of the emitted light wavelength, and to realize the monolithic control of circular polarization.

    Язык оригиналаАнглийский
    Номер статьи171106
    ЖурналApplied Physics Letters
    Том109
    Номер выпуска17
    DOI
    СостояниеОпубликовано - 24 окт. 2016

    Fingerprint

    Подробные сведения о темах исследования «Circularly polarized lasing in chiral modulated semiconductor microcavity with GaAs quantum wells». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).

    Цитировать