Atomic force microscopy of silicon stepped surface

S. S. Kosolobov, D. A. Nasimov, D. V. Sheglov, E. E. Rodyakina, A. V. Latyshev

Результат исследований: Вклад в журналСтатьярецензирование

7 Цитирования (Scopus)


Atomic force microscopy has been applied to investigate morphology of a stepped silicon surface after sublimation, thermal oxygen etching, and oxidation. Silicon surface was treated under the conditions of step bunching to fabricate large step-free areas. Consecutive stages of structural transformations induced by the interaction of oxygen molecules with the silicon surface were visualized. Peculiarities of adatoms and vacancies behavior on the large step-free area were analyzed.

Язык оригиналаАнглийский
Страницы (с-по)231-238
Число страниц8
ЖурналPhysics of Low-Dimensional Structures
СостояниеОпубликовано - 2002
Опубликовано для внешнего пользованияДа


Подробные сведения о темах исследования «Atomic force microscopy of silicon stepped surface». Вместе они формируют уникальный семантический отпечаток (fingerprint).